发明名称 THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
摘要 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법에서는 절연 기판의 상부에 비정질 규소 또는 다결정 규소로 이루어진 제1 및 제2 반도체층을 형성하고, 제1 게이트 전극을 가지는 게이트선 및 제2 게이트 전극을 형성한다. 이어, 게이트선 및 제2 게이트 전극과 제1 및 제2 반도체층 사이에 게이트 절연막을 형성한 다음, 게이트 절연막 상부에 제1 및 제2 소스 전극, 데이터선, 제1 및 제2 드레인 전극, 전원 전압용 전극을 형성한다. 이어, 제1 및 제2 소스 전극, 데이터선, 제1 및 제2 드레인 전극, 전원 전압용 전극을 덮는 층간 절연막을 형성한 다음, 몰리브덴, ITO 또는 IZO의 제1 도전막과 반사도를 가지는 도전 물질의 제2 도전막을 적층하고 함께 패터닝하여 층간 절연막 상부에 제2 드레인 전극과 연결되는 응력 완충막과 화소 전극을 형성한다. 이어, 화소 전극을 드러내는 개구부를 격벽과 격벽에 의하여 구획된 화소 전극 위의 소정 영역에 유기 발광층을 형성하고, 유기 발광층과 접하는 공통 전극을 형성한다.
申请公布号 KR101080354(B1) 申请公布日期 2011.11.04
申请号 KR20040063470 申请日期 2004.08.12
申请人 发明人
分类号 H05B33/00;H05B33/10 主分类号 H05B33/00
代理机构 代理人
主权项
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