| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé de réalisation d'une couche d'AIN à flancs verticaux par rapport à la surface (2') d'un substrat (2), comportant : - la formation, sur un substrat (2), d'une couche (4, 4') de croissance de l'AIN, - le dépôt de la couche d'AIN (31), au moins sur cette couche de croissance, - la formation, par dessus la couche d'AIN, d'une couche (40, 40') de masque, dont au moins un bord est aligné avec au moins un bord (10, 12, 14) ou un flanc (10a, 10b) de la couche (4, 4') de croissance, selon un plan sensiblement perpendiculaire à une surface (2') du substrat (2) ou une surface (4') de la couche (4) de croissance, - la gravure de la couche d'AIN (31).</p> |
