发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 (과제) 본 발명은, 피박리층에 손상을 주지 않는 박리방법을 제공하여, 작은 면적을 갖는 피박리층의 박리 뿐만 아니라, 큰 면적을 갖는 피박리층을 전체면에 걸쳐서 수율이 좋게 박리하는 것을 가능하게 하는 것을 목적으로 하고 있다. 또한, 본 발명은, 여러가지 기재에 피박리층을 부착하여, 경량의 반도체장치 및 그것의 제작방법을 제공하는 것을 과제로 한다. 특히, 플렉시블한 필름에 TFT를 대표로 하는 여러가지 소자(박막 다이오드, 실리콘의 PIN 접합으로 이루어진 광전변환소자나 실리콘 저항소자)를 부착하여, 경량의 반도체장치 및 그것의 제작방법을 제공하는 것을 과제로 한다. (해결 방법) 기판 위에 금속층(11)을 설치하고, 또한, 상기 금속층(11)에 접해서 산화물층(12)을 설치하고, 다시 피박리층(13)을 형성하고, 상기 금속층(11)을 레이저광으로 조사함으로써 산화를 행해 금속 산화물층(16)을 형성시키면, 물리적수단으로 금속 산화물층(16)의 층 내부 또는 금속 산화물층(16)과 산화물층(12)과의 계면에서, 깨끗하게 분리할 수 있다.
申请公布号 KR101079757(B1) 申请公布日期 2011.11.04
申请号 KR20057006398 申请日期 2003.10.23
申请人 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 发明人 야마자키 순페이;타카야마 토루;마루야마 준야;오노 유미코
分类号 H01L21/336;H01L21/77;H01L21/84;H01L27/12;H01L29/786 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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