发明名称 |
Bewahren der Integrität eines Gatestapels mit großemεnach Einbettung in ein Verspannungsmaterial unter Anwendung einer Beschichtung |
摘要 |
Gateausfälle in komplexen Metallgateelektrodenstrukturen mit großem &egr;, die in einer frühen Fertigungsphase hergestellt werden, können verringert werden, indem ein schützendes Beschichtungsmaterial nach dem Einbau einer verformungsinduzierenden Halbleiterlegierung und vor dem Ausführen jeglicher kritischer nasschemischer Prozesse hergestellt wird. Auf diese Weise kann der Angriff auf empfindliche Gatematerialien nach dem Einbau des verformungsinduzierenden Halbleitermaterials vermieden werden, ohne dass die weitere Bearbeitung des Bauelements beeinflusst wird. Auf diese Weise können sehr anspruchsvolle Schaltungsentwurfsformen in komplexen Vorgehensweisen, in denen das Gate zuerst hergestellt wird, angewendet werden.
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申请公布号 |
DE102010028466(A1) |
申请公布日期 |
2011.11.03 |
申请号 |
DE201010028466 |
申请日期 |
2010.04.30 |
申请人 |
GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MODULE ONE LIMITED LIABILITY COMPANY & CO. KG;GLOBALFOUNDRIES INC. |
发明人 |
CARTER, RICHARD;BEYER, SVEN;LENSKI, MARKUS;PRESS, PATRICK |
分类号 |
H01L21/336;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/336 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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