首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 PROCESS FOR PRODUCTION OF SILICON CARBIDE SUBSTRATE
摘要
申请公布号 KR20110120335(A) 申请公布日期 2011.11.03
申请号 KR20117022056 申请日期 2010.09.28
申请人 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 发明人 SASAKI MAKOTO;HARADA SHIN;NISHIGUCHI TARO;OKITA KYOKO;INOUE HIROKI;NAMIKAWA YASUO
分类号 H01L21/20;C30B29/36;H01L21/336;H01L29/78 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com