Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterscheiben durch Bearbeiten eines Einkristalls

摘要

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterscheiben durch Bearbeiten eines Einkristalls, dessen Mittellängsachse eine Orientierung aufweist, die von einer angestrebten Orientierung des Kristallgitters der Halbleiterscheiben abweicht. Das Verfahren umfasst das Abtrennen von mindestens einem Block von einem in einem gewachsenen Zustand vorliegenden Einkristall entlang von Schnittebenen senkrecht zu einer kristallographischen Achse, welche die angestrebte Orientierung des Kristallgitters der Halbleiterscheiben repräsentiert; das Schleifen der Mantelfläche des Blocks um die kristallographische Achse; und das Abtrennen einer Vielzahl von Halbleiterscheiben vom geschliffenen Block entlang von Schnittebenen senkrecht zur kristallographischen Achse.