Niederdruck-Entfernung von Photoresist und Ätzresten

摘要

Verfahren zur in-situ-Veraschung zur Entfernung von Photoresist- und Ätzresten nach einem Ätzprozess mit folgenden Verfahrensschritten: Einführen eines Prozeßgases, welches ein sauerstoffhaltiges Gas umfaßt; Erzeugen eines Plasmas in einer Plasmaverarbeitungskammer; Aussetzen eines Substrats der Plasmaeinwirkung, wobei das Substrat auf der Oberseite eines Substrathalters sitzt; Ausführen eines ersten Veraschungsschrittes durch Anlegen eines ersten Bias an den Substrathalter; und Ausfüren eines zweiten Veraschungsschrittes durch Anlegen eines zweiten Bias an den Substrathalter, wobei der zweite Bias größer ist als der erste Bias und wobei der Kammerdruck während des zweiten Veraschungsschrittes geringer ist als 20 mTorr (2,66 Pa).