Reduzierte STI-Topographie in Metallgatetransistoren mit großemεdurch Verwendung einer Maske nach Abscheidung einer Kanalhalbleiterlegierung

摘要

In einer Fertigungsstrategie zur Bereitstellung von Metallgateelektrodenstrukturen mit großem &egr; in einer frühen Fertigungsphase können Prozesse in Bezug auf Ungleichmäßigkeiten während und nach dem Strukturieren der Gateelektrodenstrukturen verbessert werden, indem eine bessere Oberflächentopographie geschaffen wird. Zu diesem Zweck wird der Materialverlust in dem Isolationsgebiet generell verringert und es wird eine symmetrische Einwirkung von reaktiven Ätzatmosphären während des nachfolgenden Entfernens der Aufwachsmaske erreicht, indem eine zusätzliche Ätzmaske bereitgestellt wird, wenn die Aufwachsmaske von den aktiven Gebieten von n-Kanaltransistoren entfernt wird, nachdem das schwellwerteinstellende Halbleitermaterial auf den aktiven Gebieten der p-Kanaltransistoren aufgewachsen wurde.