Einebnung eines Materialsystems in einem Halbleiterbauelement unter Anwendung eines nicht-selektiven in-situ zubereiteten Schleifmittels

摘要

Für komplexe CMP-Prozesse, in denen das Abtragen unterschiedlicher dielektrischer Materialien erforderlich ist, möglicherweise in Anwesenheit eines Polysiliziummaterials, wird ein Schleifmittelmaterial am Punkt der Verwendung angepasst, indem ein geeigneter pH-Wert ausgewählt wird und indem eine Agglomeration der abreibenden Teilchen vermieden wird. Die in-situ-Präparation des Schleifmittelmaterials ermöglicht ferner eine sehr dynamische Anpassung der Abtragungsbedingungen, wenn beispielsweise das Polysiliziummaterial von Gateelektrodenstrukturen in Austauschgateverfahren freigelegt wird.