Halbleiterbauelement mit komplexen leitenden Elementen in einem dielektrischen Materialsystem, das unter Anwendung einer Barrierenschicht hergestellt ist

摘要

Es wird eine effiziente Strukturierungsstrategie angewendet, wenn durch ein dielektrisches Materialsystem auf der Grundlage zweier unterschiedlicher Ätzchemien geätzt wird. Dazu wird ein leitendes Ätzstoppmaterial oder Barrierenmaterial in der Öffnung vor dem Ätzen durch die weitere dielektrische Schicht des Materialsystems hergestellt, wodurch die anfängliche kritische Abmessung im Wesentlichen beibehalten wird und eine Ätzschädigung im Wesentlichen vermieden wird. Somit können bessere Kontaktöffnungen, Kontaktdurchführungen und dergleichen auf der Grundlage gut etablierter Ätzchemien hergestellt werden.