发明名称 | 为减少不均匀性的集成可控制性阵列装置 | ||
摘要 | 提供了一种在等离子处理环境中管理等离子均匀性以便于处理基片的集成可控制性阵列装置。该装置包括电子元件阵列。该装置还包括气体喷射器阵列,其中该电子元件阵列和该气体喷射器阵列设置为建立多个等离子区域,该多个等离子区域的每个等离子区域大体上相似。该装置进一步包括泵阵列,其中该泵阵列的单个泵散布于该电子元件阵列和该气体喷射器阵列中。该泵阵列配置为便于废气的局部移除以在等离子处理环境中维持一个均匀的等离子区域。 | ||
申请公布号 | CN101720498B | 申请公布日期 | 2011.11.02 |
申请号 | CN200880022243.8 | 申请日期 | 2008.06.25 |
申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 尼尔·本杰明 |
分类号 | H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
代理机构 | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人 | 周文强;李献忠 |
主权项 | 一种在等离子处理环境中管理等离子均匀性以便于处理基片的集成可控制性阵列装置,包括:电子元件阵列;气体喷射器阵列,其中所述电子元件阵列和所述气体喷射器阵列布置为产生多个等离子区域,所述多个等离子区域的每一个等离子区域是相似的;和泵阵列,所述泵阵列的单个泵散布于所述电子元件阵列和所述气体喷射器阵列之间,所述泵阵列被设置为便于废气的局部清除以在所述等离子处理环境中维持均匀的等离子区域。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |