一种复制纳米压印模板的方法

摘要

本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种复制纳米压印模板的方法。其步骤包括：在衬底上旋涂并前烘双层胶，衬底是硅、二氧化硅或者玻璃等，上层为SU8胶，下层为LOR胶，经过压印或者是压印结合曝光处理，原始模板上的图形转移到SU8上，接着SU8作为掩模选择性的去除下层的胶。再经过淀积金属并进行剥离后，衬底上就有了一层有图形的金属层。以此金属层为掩模对衬底进行反应离子深刻蚀，然后去除残余的金属，即得到复制的模板。本发明方法廉价、便捷，易于推广使用。

主权项

一种复制纳米压印模板的方法，其特征在于具体步骤如下：(1)旋涂并前烘双层胶：先在衬底上旋涂下层胶并进行前烘，下层胶为LOR胶，前烘温度为120℃‑220℃，时间为13‑20分钟；之后旋涂并前烘上层胶，上层胶为SU8胶，前烘温度为85‑95℃，时间为8‑15分钟；(2)用原始模板进行纳米压印：在压印前先在原始模板上覆盖一层抗粘层，接着在涂有双层胶的衬底上进行压印，压印采用普通压印，或者采用压印结合曝光的方法，压印温度为80℃‑150℃；(3)去除残余的SU8胶：对于普通压印使用氧气反应离子刻蚀去刻除残余的SU8胶，对于压印结合曝光方法，对SU8进行显影；(4)利用SU8作为掩模对下层的胶进行选择性去除：去除LOR使用的是CD26溶液，CD26的溶度在40％‑60％之间，显影时间为30s‑200s；这里，CD26为商品名，是Shipley公司产品；(5)使用金属淀积工艺淀积金属层：这一金属层是刻蚀衬底的掩模层，金属层的厚度为40‑110nm，且不超过LOR厚度的三分之一；将样品放入1165 Remover中进行剥离，LOR会迅速溶于1165 Remover中，淀积在衬底上的金属层被保留，得到和原始模板一致的金属图形；这里1165 Remover为商品名，是CHESTECH公司产品；(6)以金属层为掩模刻蚀衬底：以金属层做为衬底的刻蚀阻挡层，选择性的对下层衬底进行反应离子刻蚀，去除残余的金属后，即得到由原始模板复制出来的子模板。