一种氮化碳纳米锥及其制备方法

摘要

一种氮化碳纳米锥及其制备方法，所述氮化碳纳米锥包含β-C3N4、石墨相C3N4和CNx；其中，x为正整数或小数。其制备方法包含如下步骤：(1)在一个真空腔中的光滑衬底材料表面沉积一层10～100纳米的金属中间层；(2)将所述衬底加热至280～300摄氏度，使其自然冷却；(3)将步骤(2)所得的衬底放置在真空腔内的一个石墨基座上，该石墨基座上方设置一原子束源，将1/20～1/150体积比的甲烷/氮气混合气体通入该原子束源；(4)保持所述原子束源的放电电压在100～300伏之间、原子束源内气压为3～100乇，沉积速率为0.01～0.1微米/分钟，沉积时间为5～45分钟；得到氮化碳纳米锥。

主权项

一种氮化碳纳米锥，其特征在于，所述的氮化碳纳米锥包含β‑C3N4、石墨相C3N4和CNx；x为正整数或小数，所述氮化碳纳米锥由包括如下步骤的方法制备：(1)首先，在一个真空腔中的光滑衬底材料表面沉积一层10～100纳米的中间层，沉积中间层过程采用脉冲激光烧蚀法；所述中间层的材料选自钴/镍、钴/铁、钴、镍或者铁中的一种，(2)其次，将所述衬底加热至280～300摄氏度，使其自然冷却；(3)再次，将步骤(2)所得的衬底放置在真空腔内的一个石墨基座上，该石墨基座上方设置一原子束源，将1/20～1/150体积比的甲烷/氮气混合气体通入该原子束源，该原子束源内气压达到3～30乇时向所述真空腔内放电，该原子束源的粒子流量为1019～1020s‑1；(4)最后，保持所述原子束源的放电电压在100～300伏之间、原子束源内气压为3～100乇，开始沉积氮化碳纳米锥，沉积速率为0.01～0.1微米/分钟，沉积时间为5～45分钟；得到氮化碳纳米锥。