不挥发电荷存储器件的制备方法、所得不挥发电荷存储器件及其应用

摘要

本发明涉及不挥发电荷存储器件的制备方法、所得不挥发电荷存储器件及其应用。所述不挥发电荷存储器件的制备方法，具体步骤如下：a)用原子层化学气相沉积方法在衬底表面沉积Al2O3，形成隧穿层；b)用原子层化学气相沉积方法在隧穿层表面沉积一层(HfO2)x(Al2O3)1-x薄膜作为存储层；c)用原子层化学气相沉积方法在(HfO2)x(Al2O3)1-x存储层表面沉积一层Al2O3作为阻挡层。不挥发电荷存储器件包含顺序连接的隧穿层、存储层和阻挡层，利用Al2O3作为存储器件的隧穿层和阻挡层，(HfO2)x(Al2O3)1-x作为器件的存储层。本发明能够很好的提高器件的写入和擦除速度，同时这种制备方法操作简单、易于控制。

主权项

一种不挥发电荷存储器件的制备方法，其特征在于具体步骤如下：a)以Al(CH3)3作为金属源，水作为氧源，用原子层化学气相沉积方法在衬底表面反应生成Al2O3，形成隧穿层；b)以HfCl4作为金属源，水作为氧源，用原子层化学气相沉积方法在衬底表面反应生成HfO2，然后以Al(CH3)3作为金属源，水作为氧源，用原子层化学气相沉积方法在衬底表面反应生成Al2O3，如此反复循环，在隧穿层表面沉积一层(HfO2)x(Al2O3)1 x薄膜作为存储层，其中0.9≥x≥0.5，通过调控沉积循环次数，控制x值；c)以Al(CH3)3作为金属源，水作为氧源，用原子层化学气相沉积方法在(HfO2)x(Al2O3)1 x存储层表面沉积一层Al2O3作为阻挡层。