发明名称 铂测温电阻元件的制造方法
摘要 本发明阐明了铂电阻线的氧化还原的定量的电阻值变化的机理,通过应用该机理,可以提供用于得到在使用温度区域电阻值变化少、稳定的铂测温电阻元件的制造方法,该制造方法具备:工序S1,制作在密封部涂覆了釉料的状态的感温部;工序S2,将密封前的元件放置在托盘(4)中,插入腔室(2)内;工序S3,在腔室(2)内封入含有惰性气体和氧的净化气;工序S4,将腔室内部温度上升到由铂的氧化物生成自由能求得的所述净化气中的氧分压下的还原区域;工序S5,将净化气置换成氧在1kPa以下的惰性气体;工序S6,在该置换了的状态下,用灯加热装置(6)急速加热,使炉内(腔室(2)内)达到玻璃料熔融温度,密封感温部的密封部。
申请公布号 CN101680808B 申请公布日期 2011.11.02
申请号 CN200880016142.X 申请日期 2008.05.19
申请人 株式会社山武 发明人 木村秀雄;米下一也;山口彻
分类号 G01K7/18(2006.01)I 主分类号 G01K7/18(2006.01)I
代理机构 上海市华诚律师事务所 31210 代理人 孙敬国
主权项 一种铂测温电阻元件的制造方法,该制造方法是用密封材料密封由铂电阻线或者铂电阻膜构成的感温部而构成的铂测温电阻元件的制造方法,其特征在于,在用含氧的惰性气体净化了的炉内,将密封前的所述由铂电阻线或者铂电阻膜构成的感温部升温到由铂的氧化物生成自由能求得的在该净化气中的氧分压下的铂的还原状态的温度区域,然后,将所述炉内的净化气置换成氧分压1kPa以下的惰性气体,在该状态下密封所述感温部,其在铂的还原状态的温度区域可稳定地使用,该温度区域由所述氧分压1kPa以下的铂的氧化物生成自由能求得。
地址 日本国东京都