半导体器件和半导体器件制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件和半导体器件制造方法，所述半导体器件包括本体晶体管区域以及静电放电保护元件区域，其中，所述本体晶体管区域包括：漏极区域，漂移区域，体区域，栅极绝缘膜，栅极电极，源极区域，沟道区域和电位取出区域；并且其中所述静电放电保护元件区域包括：体区域，栅极绝缘膜，栅极电极，源极区域和漏极区域，以及电位取出区域；并且所述静电放电保护元件区域中的栅极长度等于或小于所述本体晶体管区域中沟道区域长度的两倍。本发明的半导体器件可以在不增加处理步骤数的情况下形成与本体晶体管的结耐压相等的ESD保护元件。

主权项

一种半导体器件，其包括本体晶体管区域和静电放电保护元件区域，其中，所述本体晶体管区域包括：含有第一导电型半导体层的漏极区域；形成在所述漏极区域上且含有第一导电型半导体区域的漂移区域；形成在所述漂移区域中的体区域，且各所述体区域都含有第二导电型半导体区域；形成在所述漂移区域表面及所述体区域表面上的栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上形成的栅极电极，所述栅极电极横跨所述体区域表面的一部分和所述漂移区域表面的一部分；设在位于所述栅极电极端部处的所述体区域表面的一部分上的源极区域，且各所述源极区域都含有第一导电型半导体区域；沟道区域，各所述沟道区域都形成在设有所述源极区域的所述体区域表面的一部分上，所述沟道区域被所述栅极电极端部和所述栅极电极覆盖着；以及形成在所述体区域表面上的电位取出区域，且各所述电位取出区域都含有第二导电型杂质扩散层并用于将所述体区域的电位取出，并且所述静电放电保护元件区域包括：具有与所述本体晶体管区域中的体区域相同结构的体区域；形成在所述静电放电保护元件区域中的体区域表面上的栅极绝缘膜；形成在位于所述静电放电保护元件区域中的体区域表面的一部分上的所述栅极绝缘膜上的栅极电极；源极区域和漏极区域，所述源极区域形成在位于所述栅极电极端部处的所述静电放电保护元件区域中的体区域表面的一部分上且各所述源极区域都含有第一导电型半导体区域，各所述漏极区域都含有第一导电型半导体区域；以及形成在所述静电放电保护元件区域中的体区域表面的一部分上的电位取出区域，且各所述电位取出区域都含有第二导电型半导体区域并用于将所述静电放电保护元件区域中的体区域的电位取出，并且，所述静电放电保护元件区域中的栅极长度等于或小于所述本体晶体管区域中的沟道长度的两倍。