垂直的氮化镓基发光二极管及其制造方法

摘要

一种垂直的GaN基LED的制造方法，其包括：形成发光结构，其中在衬底上依次层叠n-型GaN基半导体层、有源层、以及p-型GaN基半导体层；蚀刻所述发光结构，从而将所述发光结构分割成LED单元；在各个所述分割的发光结构上形成p-电极；在所述分割的发光结构之间填充非导电材料；在所获得的结构上形成金属种子层；在不包括发光结构之间的区域的所述金属种子层上形成第一镀层；在所述第一镀层之间的所述金属种子层上形成第二镀层；将所述衬底与所述发光结构分离；去除通过分离所述衬底而被暴露的所述发光结构之间的所述非导电材料；在所述n-型GaN基半导体层上形成n-电极；以及去除在所述发光结构之间的所述金属种子层和所述第二镀层的一部分。

主权项

一种垂直的GaN基LED，包括：n‑电极；n‑型GaN基半导体层，形成在所述n‑电极之下；有源层，形成在所述n‑型GaN基半导体层之下；p‑型GaN基半导体层，形成在所述有源层之下；多个反射电极，形成在所述p‑型GaN基半导体层之下，以便使彼此之间间隔预定的距离，并且所述反射电极反射从所述有源层产生的入射光；阻挡层，形成在包括所述反射电极的所述p‑型GaN基半导体层之下；结构支撑层，形成在所述阻挡层之下。