大厚度氧化层场板结构

摘要

一种大厚度氧化层场板结构，它包括硅基板、嵌入硅基板的大厚度场氧化层、大厚度场氧化层与器件有源区间的掺杂保护环，以及淀积在大厚度场氧化层上的高掺杂多晶硅或金属场板；所述的场氧化层为二氧化硅层，氧化层厚度介于1微米和60微米之间，从器件有源区向外的轴向延伸长度在40微米到700微米之间；它具有能有效缓解表面介质层的应力开裂，提高器件可靠性等特点。

主权项

一种大厚度氧化层场板结构，其特征在于它包括一硅基板、嵌入硅基板的大厚度场氧化层、大厚度场氧化层内侧、与器件有源区相邻的掺杂保护环，以及淀积在大厚度场氧化层上的高掺杂多晶硅或金属场板。