| 发明名称 |
HIGH PERFORMANCE 3D FET STRUCTURES, AND METHODS FOR FORMING THE SAME USING PREFERENTIAL CRYSTALLOGRAPHIC ETCHING |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP2020031(A4) |
申请公布日期 |
2011.11.02 |
| 申请号 |
EP20070761242 |
申请日期 |
2007.04.25 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION |
发明人 |
DYER, THOMAS W.;YANG, HAINING S. |
| 分类号 |
H01L27/12;H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/01;H01L27/092;H01L29/00;H01L29/04;H01L29/78;H01L31/036 |
主分类号 |
H01L27/12 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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