发明名称 |
自对准叠加双层多晶硅栅结构的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种自对准叠加双层多晶硅栅结构的制备方法,在传统SASG制备工艺的基础上,增加了淀积ONO薄膜(7)之前先淀积一层氧化硅(11)、再反刻该层氧化硅(11)的步骤。从而在写入栅极隔离区(911)的一周边缘形成一周具有倾斜侧壁的氧化硅侧墙残留(111)。该氧化硅侧墙残留(111)可以帮助ONO薄膜(7)在此处形成一周也具有倾斜侧壁的侧墙(73),从而有利于SASG结构制备过程中尽可能完全地去除ONO薄膜(7)的残留。最终即使有部分氧化硅残留(112)和/或ONO薄膜残留(74),由于是落在同是氧化硅的STI结构(2)上,也不会构成缺陷。 |
申请公布号 |
CN101740520B |
申请公布日期 |
2011.11.02 |
申请号 |
CN200810043950.7 |
申请日期 |
2008.11.20 |
申请人 |
上海华虹NEC电子有限公司 |
发明人 |
吕煜坤;孙娟 |
分类号 |
H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8247(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
顾继光 |
主权项 |
一种自对准叠加双层多晶硅栅结构的制备方法,硅片的有源区(1)之间具有浅槽隔离结构(2),硅片上生长有栅氧化层(3),栅氧化层(3)上淀积有多晶硅(4),其特征是:所述方法包括如下步骤:第1步,在多晶硅(4)上涂光刻胶(6),曝光显影后露出刻蚀窗口(100),保留其余区域的光刻胶(6);第2步,在刻蚀窗口(100)刻蚀多晶硅(4)直至露出浅槽隔离结构(2),形成写入栅极隔离区(911),去除光刻胶(6);第3步,在硅片表面淀积氧化硅(11);第4步,反刻该层氧化硅(11)直至该层氧化硅(11)的底部被完全刻蚀掉;第5步,在硅片表面淀积ONO薄膜(7);第6步,在硅片表面淀积多晶硅(8);第7步,在多晶硅(8)上涂光刻胶(10),曝光显影后露出刻蚀窗口(200),保留其余区域的光刻胶(10);第8步,在刻蚀窗口(200)刻蚀多晶硅(8)、ONO薄膜(7)和残留的氧化硅(111)直至ONO薄膜(7)的底部被完全刻蚀掉,去除光刻胶(10)。 |
地址 |
201206 上海市浦东新区川桥路1188号 |