镱掺杂氟化镥锂晶体的制备方法

摘要

一种镱掺杂氟化镥锂晶体的制备方法，给出在非真空、不加压和不通任何气氛的条件下，利用坩埚下降法生长出优质镱掺杂氟化镥锂激光晶体。本发明具有工艺简便，设备简单、生长成本低的特点。

主权项

一种镱掺杂氟化镥锂晶体的制备方法，其特征在于该方法包括下列步骤：①选用纯度大于99.99％的LiF、LuF3和YbF3，选定x值后按下列方程式的配比进行配料，LiF+xYbF3+(1‑x)LuF3＝Ybx:LiLu(1‑x)F4其中x＝0.1～35mol.％，经混合后形成镱掺杂氟化镥锂晶体的原料；②将所述的原料经200～300℃脱水4～6小时后，加入0.05‑0.1g脱氧剂混合均匀，放入壁厚为0.15～0.3mm的有底坩埚后严实密封；③将所述的坩埚置于下降炉中大气气氛下，温度为900～960℃的高温区熔料4～6小时，然后坩埚以0.5～1.2mm/h速率下降，此时晶体固液界面处±0.5cm范围内的温度梯度为25～40℃/cm，生长结束后以20～40℃/h速率冷却至室温。