半导体器件中接触孔的制备方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件中接触孔的制备方法，在器件制备完成及金属前电介质层淀积之后，通过一次光刻，两次刻蚀，两次淀积钨，两次化学机械研磨，完成了大的高宽比要求的接触孔工艺。

主权项

一种半导体器件中接触孔的制备方法，其特征在于，在器件制备完成及金属前电介质层淀积之后，包括如下步骤：1)利用光刻工艺在金属前电介质层上定义出接触孔的位置，使显影后光刻胶覆盖接触孔的位置；2)利用光刻胶图形为掩膜，第一次刻蚀去掉一定厚度的金属前电介质层；3)去除剩余的光刻胶，并在所述金属前电介质层上淀积第一层钨至覆盖整个金属前电介质层；4)采用化学机械研磨法平整化，去除所述接触孔位置处的所述金属前电介质层上的钨；5)以步骤四中所形成的钨为掩膜层，进行第二次刻蚀所述金属前电介质层至完全刻穿所述金属前电介质层，形成接触孔；6)第二次淀积钨以完全填充所述接触孔，接着进行第二次化学机械研磨法去除所述金属前电介质层上的钨。