一种SONOS闪存单元及其制造方法

摘要

本发明公开了一种SONOS闪存单元及其制造方法，其中的SONOS器件和选择晶体管都采用增强型PMOS器件，因此无需深N阱工艺就可以实现器件衬底偏置。N阱表面的P型埋沟可为SONOS器件的编程提供大量空穴，大大提高编程效率，克服了空穴由于有效质量大而编程困难的缺点。P型SONOS器件可得到比N型SONOS器件更对称的编程和擦除阈值电压。再者，本发明充分利用闪存单元的两个器件的栅极间距小的特点，采用大角度的轻掺杂源漏离子注入，使得漏极注入量远多于源极，增大了有效沟道长度，为器件的尺寸缩小创造条件。最后，本发明对闪存单元的两个器件进行袋状例子注入，进一步减小短沟道效应。

主权项

一种SONOS闪存单元，包括SONOS器件和选择晶体管，其特征是：该闪存单元包括：P型硅衬底(10)，在该闪存单元最下层；N阱(11)，在所述P型硅衬底(10)之上；P型埋沟(12)，在所述N阱(11)之上，所述P型埋沟(12)内包括SONOS器件的漏极(23)、SONOS器件的沟道(111)、SONOS器件和选择晶体管共用的源极(24)、选择晶体管的沟道(112)和选择晶体管的漏极(25)；ONO介质(13)，在所述SONOS器件的沟道(111)之上；SONOS器件的多晶硅栅极(21)，在所述ONO介质(13)之上；栅氧化层(14)，在所述选择晶体管的沟道(112)之上；选择晶体管的多晶硅栅极(22)，在所述栅氧化层(14)之上；氮化硅(16)，在所述两个多晶硅栅极(21、22)之上；氮化硅侧墙(17)，在所述ONO介质(13)、SONOS器件的多晶硅栅极(21)和氮化硅(16)的两侧壁，还在所述栅氧化层(14)、选择晶体管的多晶硅栅极(22)和氮化硅(16)的两侧壁。