具有减小的密勒电容的MOS栅控晶体管

摘要

在本发明的一个实施例中，沟槽MOS栅控晶体管包括：第一导电类型的第一区，其与第二导电类型的阱区形成pn结。阱区具有平坦底部和延伸深于平坦底部的部分。栅极沟槽延伸进阱区。沟道区沿栅极沟槽的外部侧壁在阱区中延伸。栅极沟槽具有终止在第一区内的第一底部和终止在阱区的更深部分内的第二底部，使得当晶体管处于导通状态时，阱区的更深部分防止电流流过直接位于阱区更深部分上的那些沟道区部分。

主权项

一种沟槽MOS栅控晶体管，包括：第一导电类型的第一区；第二导电类型的阱区，与所述第一区形成pn结，所述阱区具有平坦底部和延伸深于所述平坦底部的部分，其中，所述阱区的更深部分比所述平坦底部深0.2‑0.4μm；栅极沟槽，延伸进所述阱区；以及沟道区，沿所述栅极沟槽的外部侧壁位于所述阱区中，其中，所述栅极沟槽的第一底部终止在所述第一区内，所述栅极沟槽的第二底部终止在所述阱区的更深部分内，使得当所述晶体管处于导通状态时，所述阱区的所述更深部分防止电流流过直接位于所述阱区的所述更深部分之上的那些沟道区部分。