一种低THD宽频高磁导率MnZn铁氧体材料及其制造方法

摘要

本发明提供了一种低THD宽频高磁导率MnZn铁氧体材料，其主成分包括：51.5mol％－53mol％的Fe2O3、以MnO计，22mol％－27.5mol％的Mn3O4和20mol％－25mol％的ZnO；辅助成分选自TiO2（或SnO2）、Co2O3、MoO3、Bi2O3、SiO2、CaCO3、Nb2O5中的至少四种，所述辅助成分的总重量是所述主成分总重量的0.02wt％－0.4wt%。本发明提供的低THD高磁导率MnZn铁氧体材料在25℃下低频（10kHz）和高频（200kHz）起始磁导率均不低于10000，且磁滞常数ηB小于0.2×10-6/mT。本发明还提供了一种低THD高磁导率MnZn铁氧体材料的制造方法，其包括混料、烘干、预烧、球磨、造粒、压制成型和烧结步骤。本发明的方法具有工艺简单、成本低的优势。

主权项

一种低THD宽频高磁导率MnZn铁氧体材料，其特征在于：所述MnZn铁氧体材料包括主成分和辅助成分，其中所述主成份是51.5mol％－53mol％的Fe2O3、22mol％－27.5mol％的Mn3O4，以MnO计，和20mol％－25mol％的ZnO；以及所述辅助成分选自TiO2/SnO2、Co2O3、MoO3、Bi2O3、SiO2、CaCO3、Nb2O5中的至少四种，所述辅助成分的总重量是所述主成分总重量的0.02wt％－0.4wt%。