一种垂直结构GaN基LED芯片

摘要

本实用新型提供一种垂直结构GaN基LED芯片，所述LED芯片自下而上依次包括：铜基底、P型电极层、P型GaN层、多量子阱、N型GaN层、透明电极层和N型引线电极。该垂直结构的GaN基白光LED芯片，P型和N型电极分别位于芯片的底部和顶部，从而电流分布更均匀，而且采用单引线键合，兼容性较好，使用方便；此外，由于本实用新型的电极结构采用透明导电膜，不仅可减少金属电极造成的光线吸收损耗，而且电流分布均匀有利于降低热阻，提高器件提取效率及出光效率。

主权项

一种垂直结构GaN基LED芯片，其特征在于，所述LED芯片自下而上依次包括：铜基底、P型电极层、P型GaN层、多量子阱、N型GaN层、透明电极层和N型引线电极。