高密度铟连接半导体激光器热沉

摘要

本实用新型公开了一种高密度铟连接半导体激光器热沉，由结构件1，铟柱2组成，在洁净金属材质结构件1的位置上，具有阵列高度为大于5μm、小于100μm、且高度差小于5％，间隔尺寸小于100μm的表面光滑且不易氧化的铟柱2。它具有结构简单，体积小，稳定性好，适用性强，使用方便，价格合理等特点。

主权项

高密度铟连接半导体激光器热沉，其特征在于：由结构件(1)，铟柱(2)组成，在洁净金属材质结构件(1)的位置上，具有阵列高度为大于5μm、小于100μm、且高度差小于5％，间隔尺寸小于100μm的表面光滑且不易氧化的铟柱(2)。