| 发明名称 | 一种基于p型硅光阴极的自偏压光电化学电池及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于p型硅光阴极的自偏压光电化学电池及制备方法，尤其是涉及一种能真正实现太阳能转化的半导体一维纳米结构光电极组成的自偏压光电化学电池及制备方法，属于清洁可再生新能源利用及新材料制备领域。一种基于p型硅光阴极的自偏压光电化学电池，由纳米结构光阴极、光阳极、电解液及导线等组成。其中纳米结构光阴极由p型硅片衬底和p型硅纳米线阵列组成。在硅片上通过化学侵蚀生长的部分为p型硅纳米线阵列，p型硅纳米线阵列整齐排列，垂直生长于p型硅片衬底。本发明采用低成本化学刻蚀方法大规模制备出p型硅纳米线阵列，进而组装成太阳能制氢自偏压光电化学电池，该电池不需要外加能量就能实现太阳能-氢能转化。 | ||
| 申请公布号 | CN102231450A | 申请公布日期 | 2011.11.02 |
| 申请号 | CN201110105270.5 | 申请日期 | 2011.04.26 |
| 申请人 | 北京理工大学 | 发明人 | 曹传宝;郁强 |
| 分类号 | H01M14/00(2006.01)I;H01G9/048(2006.01)I;H01G9/20(2006.01)I | 主分类号 | H01M14/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种基于p型硅光阴极的自偏压光电化学电池，由纳米结构光阴极、光阳极(3)、电解液(4)及导线(5)等组成。其中纳米结构光阴极由p型硅片衬底(1)和p型硅纳米线阵列(2)组成。p型硅纳米线阵列(2)整齐排列，垂直生长于p型硅片衬底(1)。 | ||
| 地址 | 100081 北京市海淀区中关村南大街5号 | ||