发明名称 |
纳米B<sub>4</sub>C掺杂的致密二硼化镁超导体及其制备方法 |
摘要 |
一种纳米B4C掺杂的致密二硼化镁超导体,掺杂有纳米B4C,其组成是镁粉和硼粉且其原子比为0.9∶2至1.1∶2,加入纳米B4C的质量占总质量的3%至6%的制备方法,将干燥的镁粉、硼粉和纳米B4C三种组元,按照镁粉和硼粉的原子比为0.9∶2至1.1∶2,加入纳米B4C的质量占总质量的3%至6%的比例在混粉机中充分混合,将粉料装入低碳钢管中压实,然后焊合钢管两端,在二辊轧机中轧到原尺寸的30-50%形成带状试样;在常压的氩气氛炉内烧结,烧结炉预先设定温度为900-1100℃,将带状试样置于炉内烧结15-30分钟,制备得到低碳钢管内的纳米B4C掺杂的二硼化镁超导体。 |
申请公布号 |
CN102229497A |
申请公布日期 |
2011.11.02 |
申请号 |
CN201110053452.2 |
申请日期 |
2011.03.07 |
申请人 |
东南大学 |
发明人 |
余新泉;施智祥;余海涛;张友法;胡敏强;陈锋 |
分类号 |
C04B35/58(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/58(2006.01)I |
代理机构 |
南京天翼专利代理有限责任公司 32112 |
代理人 |
汤志武 |
主权项 |
一种纳米B4C掺杂的致密二硼化镁超导体,其特征在于:a. 二硼化镁超导体掺杂有纳米B4C,其组成是镁粉和硼粉且其原子比为0.9∶2至1.1∶2,加入纳米B4C的质量占总质量的3%至6%,b. 其中镁粉的纯度为98%至99%,粒度300至400目;硼粉的纯度为98%至99%,粒度300至400目;纳米B4C的尺寸控制在20nm到80nm范围。 |
地址 |
211189 江苏省南京市江宁开发区东南大学路2号 |