发明名称 纳米B<sub>4</sub>C掺杂的致密二硼化镁超导体及其制备方法
摘要 一种纳米B4C掺杂的致密二硼化镁超导体,掺杂有纳米B4C,其组成是镁粉和硼粉且其原子比为0.9∶2至1.1∶2,加入纳米B4C的质量占总质量的3%至6%的制备方法,将干燥的镁粉、硼粉和纳米B4C三种组元,按照镁粉和硼粉的原子比为0.9∶2至1.1∶2,加入纳米B4C的质量占总质量的3%至6%的比例在混粉机中充分混合,将粉料装入低碳钢管中压实,然后焊合钢管两端,在二辊轧机中轧到原尺寸的30-50%形成带状试样;在常压的氩气氛炉内烧结,烧结炉预先设定温度为900-1100℃,将带状试样置于炉内烧结15-30分钟,制备得到低碳钢管内的纳米B4C掺杂的二硼化镁超导体。
申请公布号 CN102229497A 申请公布日期 2011.11.02
申请号 CN201110053452.2 申请日期 2011.03.07
申请人 东南大学 发明人 余新泉;施智祥;余海涛;张友法;胡敏强;陈锋
分类号 C04B35/58(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B35/58(2006.01)I
代理机构 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 代理人 汤志武
主权项 一种纳米B4C掺杂的致密二硼化镁超导体,其特征在于:a. 二硼化镁超导体掺杂有纳米B4C,其组成是镁粉和硼粉且其原子比为0.9∶2至1.1∶2,加入纳米B4C的质量占总质量的3%至6%,b. 其中镁粉的纯度为98%至99%,粒度300至400目;硼粉的纯度为98%至99%,粒度300至400目;纳米B4C的尺寸控制在20nm到80nm范围。
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