发明名称 |
有机电界双面发光标示装置 |
摘要 |
本发明涉及主动有机发光技术。本发明公开了一种构造简单、像素开口率大的有机电界双面发光标示装置。其技术方案的要点是:包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一发光器件、第二发光器件、第一电容和第二电容;第一晶体管的源极连接第一数据线,栅极连接第三晶体管的栅极且连接信号扫描线,漏极连接第二晶体管的栅极;第二晶体管的源极通过第一发光器件接电源,漏极接地;第一电容连接在第二晶体管的栅极与地之间;第三晶体管的源极连接第二数据线,漏极连接第四晶体管的栅极;第四晶体管的源极连接电源,漏极通过第二发光器件接地;第二电容连接在第四晶体管的栅极与电源之间。本发明结构简单、稳定性高、像素开口率大。 |
申请公布号 |
CN101739957B |
申请公布日期 |
2011.11.02 |
申请号 |
CN200910311789.1 |
申请日期 |
2009.12.18 |
申请人 |
四川虹视显示技术有限公司 |
发明人 |
金正学;李金川 |
分类号 |
G09G3/32(2006.01)I |
主分类号 |
G09G3/32(2006.01)I |
代理机构 |
成都虹桥专利事务所 51124 |
代理人 |
李顺德 |
主权项 |
有机电界双面发光标示装置,其特征在于:包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一发光器件、第二发光器件,第一电容及第二电容;所述第一晶体管的源极连接第一数据线,栅极连接第三晶体管的栅极且连接信号扫描线,漏极连接第二晶体管的栅极;所述第二晶体管的源极通过第一发光器件接电源,漏极接地,所述第一电容连接在第二晶体管的栅极与地之间;所述第三晶体管的源极连接第二数据线,漏极连接第四晶体管的栅极;所述第四晶体管的源极连接电源,漏极通过第二发光器件接地,所述第二电容连接在第四晶体管的栅极与电源之间;所述第一晶体管、第二晶体管均为NMOS管,第三晶体管、第四晶体管均为PMOS管。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新西区科新西街168号 |