发明名称 有机电界双面发光标示装置
摘要 本发明涉及主动有机发光技术。本发明公开了一种构造简单、像素开口率大的有机电界双面发光标示装置。其技术方案的要点是:包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一发光器件、第二发光器件、第一电容和第二电容;第一晶体管的源极连接第一数据线,栅极连接第三晶体管的栅极且连接信号扫描线,漏极连接第二晶体管的栅极;第二晶体管的源极通过第一发光器件接电源,漏极接地;第一电容连接在第二晶体管的栅极与地之间;第三晶体管的源极连接第二数据线,漏极连接第四晶体管的栅极;第四晶体管的源极连接电源,漏极通过第二发光器件接地;第二电容连接在第四晶体管的栅极与电源之间。本发明结构简单、稳定性高、像素开口率大。
申请公布号 CN101739957B 申请公布日期 2011.11.02
申请号 CN200910311789.1 申请日期 2009.12.18
申请人 四川虹视显示技术有限公司 发明人 金正学;李金川
分类号 G09G3/32(2006.01)I 主分类号 G09G3/32(2006.01)I
代理机构 成都虹桥专利事务所 51124 代理人 李顺德
主权项 有机电界双面发光标示装置,其特征在于:包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一发光器件、第二发光器件,第一电容及第二电容;所述第一晶体管的源极连接第一数据线,栅极连接第三晶体管的栅极且连接信号扫描线,漏极连接第二晶体管的栅极;所述第二晶体管的源极通过第一发光器件接电源,漏极接地,所述第一电容连接在第二晶体管的栅极与地之间;所述第三晶体管的源极连接第二数据线,漏极连接第四晶体管的栅极;所述第四晶体管的源极连接电源,漏极通过第二发光器件接地,所述第二电容连接在第四晶体管的栅极与电源之间;所述第一晶体管、第二晶体管均为NMOS管,第三晶体管、第四晶体管均为PMOS管。
地址 611731 四川省成都市高新西区科新西街168号