发明名称 |
光电元件 |
摘要 |
一种光电元件,包含n型覆盖层;p型覆盖层;以及发光层,位于该n型覆盖层与该p型覆盖层之间。发光层由多个势垒层与多个阱层交错堆叠而成的多重量子阱结构,其中于最靠近p型覆盖层的势垒层掺入可以改变其势垒的杂质,以形成势垒调变层。上述元件具有提高发光效率的优点。 |
申请公布号 |
CN101667612B |
申请公布日期 |
2011.11.02 |
申请号 |
CN200810212831.X |
申请日期 |
2008.09.05 |
申请人 |
晶元光电股份有限公司 |
发明人 |
朱瑞溢;郭政达;许育宾;王俊凯;吴欣显;林义杰 |
分类号 |
H01L33/00(2006.01)I;G02F1/13357(2006.01)I;H05B37/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
彭久云 |
主权项 |
一种光电元件,包含:n型覆盖层;p型覆盖层;以及发光层,位于该n型覆盖层与该p型覆盖层之间,且该发光层由多个势垒层与多个阱层交错堆叠而形成多重量子阱结构,其中该多重量子阱结构包含势垒调变层,该势垒调变层为至少一层最靠近该p型覆盖层的势垒层,且包含杂质使该势垒调变层的势垒与其他势垒层的势垒不同。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |