发明名称 制造具有贯穿介层连接的双侧绝缘层上矽晶圆尺寸封装之装置及方法
摘要
申请公布号 TWI351727 申请公布日期 2011.11.01
申请号 TW094139868 申请日期 2005.11.14
申请人 萬國商業機器公司 美國 发明人 陈厚;许履尘
分类号 H01L21/56 主分类号 H01L21/56
代理机构 代理人 蔡玉玲 台北市大安区敦化南路2段218号5楼A区
主权项 一种半导体封装,包含:一晶圆,具有包含至少一电子组件之一第一侧,以及在该第一侧对面之一第二侧,并形成一腔室(cavity)于该晶圆之该第二侧上的一半导体基板内;至少一晶片,被置放于该腔室中;以及一贯穿介层(through via),通过该晶圆之一部分,以连接该至少一晶片至该至少一电子组件。
地址 美国