发明名称 晶圆处理方法
摘要
申请公布号 TWI351719 申请公布日期 2011.11.01
申请号 TW093126898 申请日期 2004.09.06
申请人 迪思科股份有限公司 日本 发明人 永井佑介;青木昌史;星野仁志
分类号 H01L21/301 主分类号 H01L21/301
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种晶圆处理方法,用以沿着分割线,将具有光学装置的晶圆进行切割,该光学装置形成于藉由形成于前表面上的一晶格图案中之该些分割线所切割的复数个区域中,包括:雷射光束施加步骤,沿着该晶圆之背表面一侧的该些切割线,将雷射光束施加于该晶圆,而在背表面中,形成具有一预定深度的渠沟;保护板固定步骤,将一保护板固定于背表面中具有该些渠沟之该晶圆的前表面;切割步骤,沿着该些渠沟,将具有固定于前表面的该保护板之该晶圆进行切割;以及研磨步骤,沿着该些渠沟,在该保护板系固定于该晶圆之状态中,将已切割的晶圆之背表面进行研磨,以去除该些渠沟。
地址 日本