| 主权项 |
一种在制造一半导体装置期间利用之方法，其包括：提供欲加以蚀刻的一层，欲加以蚀刻的该层具有一实质平面的水平(elevationally)最外层之表面；在欲加以蚀刻的该层上形成一牺牲图案化层，其中该牺牲图案化层包括具有至少第一及第二断面侧壁的复数个分段部分；形成复数个牺牲第一间隔物，在该牺牲图案化层之每一个分段部分之每一个侧壁之上形成一个间隔物；移除该牺牲图案化层；在该复数个牺牲第一间隔物上形成一保形第二间隔物层；移除该保形第二间隔物层之一部分以在该等牺牲第一间隔物之上形成复数个第二间隔物，至少一些该等第一间隔物分隔至少一些该等第二间隔物，其中至少一些该等第二间隔物具有水平向外于该表面之不同最大水平厚度；随形成该等第二间隔物之后，移除该等牺牲第一间隔物；以及将该等第二间隔物用作一图案而蚀刻欲加以蚀刻的该层。 |
