不纯物导入层之形成方法及被处理物之洗净方法与不纯物导入装置及设备之制造方法

主权项

一种不纯物导入层之形成方法，包含有下述步骤：形成步骤(a)，系于半导体基板上形成抗蚀层图案者；导入步骤(b)，系将前述抗蚀层图案作为光罩，并藉由使用含有不纯物之气体之电浆掺杂法，将前述不纯物导入前述半导体基板者；除去步骤(c)，系于前述步骤(b)后，除去前述抗蚀层图案者；洗净步骤(d)，系于前述步骤(c)后，洗净前述半导体基板者；及活性化步骤(e)，系于前述步骤(d)后，将前述半导体基板进行热处理，使前述不纯物活性化者。