| 发明名称 |
半导体装置及其制法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI351729 |
申请公布日期 |
2011.11.01 |
| 申请号 |
TW096124083 |
申请日期 |
2007.07.03 |
| 申请人 |
矽品精密工業股份有限公司 臺中市潭子區大豐路3段123號 |
发明人 |
赖正渊;黄建屏;柯俊吉;王愉博;颜家宏 |
| 分类号 |
H01L21/60;H01L23/34;H01L23/48 |
主分类号 |
H01L21/60 |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼 |
| 主权项 |
一种半导体装置之制法，系包括：提供具有相对主动面及非主动面之晶片与具有相对第一表面及第二表面之软质载板，该晶片主动面上设有复数焊垫，且各该焊垫上形成有金属凸块，并于该些金属凸块间形成有散热凸块，该软质载板第一表面形成有相对应该金属凸块之金属引线层及对应该散热凸块之第一散热金属层，并于该第二表面上形成有第二散热金属层；将该晶片之主动面接置于该软质载板之第一表面，且使该晶片主动面上之金属凸块与散热凸块电性连接至对应该金属引线层及第一散热金属层；以及于该晶片与软质载板间隙填充绝缘胶。 |
| 地址 |
台中市潭子区大丰路3段123号 |
