| 发明名称 |
以矽及有机前趋物沉积无缺陷初始层而减少电浆辅助化学气相沉积制程中之气相反应的方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI351721 |
申请公布日期 |
2011.11.01 |
| 申请号 |
TW096124043 |
申请日期 |
2007.07.02 |
| 申请人 |
應用材料股份有限公司 美國 |
发明人 |
任康树;詹凯文;拉札高帕蓝纳卡拉詹;刘张珠惠约瑟芬;安相Ｈ;郑宜;李相仁;尼古言福诺格提伦;狄摩斯亚历山卓Ｔ |
| 分类号 |
H01L21/316 |
主分类号 |
H01L21/316 |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
| 主权项 |
一种沈积有机矽酸盐介电层的方法，包含：在一处理腔室内设置一基材，该处理腔室具有一供能电极(powered electrode)；流入一起始气体混合物到该处理腔室中，该起始气体混合物包含一流速的一或多种有机矽化合物和一流速的一或多种氧化气体；利用施加一射频功率在该供能电极上，而沈积一起始层在该基材上；递增该一或多种有机矽化合物的该流速，直到达到该一或多种有机矽化合物的最终流速，同时并沈积一第一过渡层在该起始层上；流入最终流速的该一或多种有机矽化合物，同时流入一流速的气体混合物(其包含一或多种致孔物)；递增该一或多种致孔物的该流速，直到达到该一或多种致孔物的最终流速，同时并沈积第二过渡层在该第一过渡层上；以及终止该射频功率。 |
| 地址 |
美国 |
