| 发明名称 |
基板处理中以基于一氧化氮之氧化制程取代基于一氧化二氮之氧化制程的方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI351722 |
申请公布日期 |
2011.11.01 |
| 申请号 |
TW096110715 |
申请日期 |
2007.03.28 |
| 申请人 |
東京威力科創股份有限公司 日本 |
发明人 |
安东尼 迪普 |
| 分类号 |
H01L21/318 |
主分类号 |
H01L21/318 |
| 代理机构 |
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代理人 |
周良谋 新竹市东大路1段118号10楼;周良吉 新竹市东大路1段118号10楼 |
| 主权项 |
一种在批次型处理系统中处理多个基板的方法，包含：选择用于该基板之基于N2O之氧化制程，该制程包含含有N2O的第一处理气体，该N2O在批次型处理系统的处理室中热分解而产生N2、O2及NO副产物；及产生用于该基板之基于NO之替代氧化制程，以用于在该基板之每一者上形成与选定之该基于N2O之氧化制程实质上相等的氮氧化物层，该基于NO之替代氧化制程包含含有N2、O2及NO之第二处理气体，N2、O2及NO的莫耳浓度实质上与在基于N2O之氧化制程中之N2、O2及NO副产物的莫耳浓度相等。 |
| 地址 |
日本 |
