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<p>반도체 소자의 제조방법이 개시되어 있다. 개시된 반도체 소자의 제조방법은 기판 상에 도전막 패턴들을 형성하는 단계와, 상기 도전막 패턴들 사이에 층간절연막을 형성하는 단계와, 상기 층간절연막에 상기 도전막 패턴들 사이의 상기 기판을 노출하는 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀을 포함한 전면에 제 1 도전막을 형성하는 단계와, 상기 도전막 패턴의 상단 표면이 노출되도록 상기 제 1 도전막을 전면 식각하여 상기 콘택홀 내부에 고립되는 콘택 플러그를 형성하는 단계와, 상기 도전막 패턴의 상단 표면이 상기 층간절연막의 상단 표면 아래로 내려가도록 상기 도전막 패턴을 일부 제거하여 홈을 형성하는 단계와, 상기 홈에 하드마스크막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 자기정렬콘택(Self Aligned Contact, SAC) 공정의 마진이 향상되는 효과가 있다.</p> |
