| 摘要 |
<p>금속 재료를 사용한 각종 배선이나 차광막과 Si 기판이나 Si을 포함하는 전극이나 배선 등의 도전 패턴과의 콘택트를 얻는 구조에 있어서, 이후 공정에서의 열 처리에 따르는 콘택트 저항 상승을 억제할 수 있고, 각종 신호의 전파 특성을 개선할 수 있어, 촬상 소자의 고속화, 대형화, 고화질화 등에 기여하는 것이 가능한 고체 촬상 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. Si 기판(110)과, 이 Si 기판(110) 상에 형성된 전송·축적 전극(114, 116) 및 완충 배선(118) 등의 도전 패턴과, 이들을 덮는 상태에서 Si 기판(110) 상에 설치된 절연막(120)과, 절연막(120)에 형성된 콘택트창(120A)을 통해 완충 배선(118)에 접속된 상태에서 절연막(120) 상에 형성된 금속 패턴으로 이루어지는 분로(shunt) 배선(122)을 구비한 CCD 이미지 센서(고체 촬상 소자)로, 콘택트창(120A)의 바닥면 부근에 있어서의 분로 배선(122) 부분에는 실리콘과 금속의 산화물 및 실리콘과 금속의 질화물 중 적어도 한쪽이 함유되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.</p> |
