发明名称 PROCEDE DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF MICROELECTRONIQUE ET DISPOSITIF MICROELECTRONIQUE AINSI FABRIQUE
摘要 <p>L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif microélectronique sur un substrat comportant au moins un premier et un second composants électriques répartis, respectivement, dans des premier et second niveaux empilés l'un au-dessus de l'autre sur le substrat, ce procédé comprenant : - la fabrication (102) d'au moins un plot électrique à l'intérieur du premier niveau, ce plot présentant une face supérieure, puis - le déplacement (106), avant le raccordement électrique du second composant, vers une position de connexion dans laquelle la face supérieure du plot électrique et en contact avec l'intérieur du second niveau parallèlement au substrat, puis - le raccordement électrique (120) du second composant électrique sur ladite face supérieure pour relier électriquement ce composant électrique au premier composant électrique par l'intermédiaire de ce plot.</p>
申请公布号 FR2959350(A1) 申请公布日期 2011.10.28
申请号 FR20100053156 申请日期 2010.04.26
申请人 COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIESALTERNATIVES 发明人 HILT THIERRY;BOUTRY HERVE;FRANIATTE REMI;MOREAU STEPHANE
分类号 H01L21/98;H01L23/28;H01L25/065 主分类号 H01L21/98
代理机构 代理人
主权项
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