首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE FOR EMITTING LIGHT AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
摘要 <p>이와 같은 반도체 발광 소자에서 나노 도트층/접촉층/반사층/확산 방지층/캡핑층을 포함하는 다층 구조의 오믹 전극은 질화물 반도체의 질소 극성면에 형성되고, 추가적인 열처리 공정을 거치지 않았음에도 불구하고, 낮은 오믹 저항 및 높은 광 반사도를 유지할 수 있다.</p>
申请公布号 KR101077771(B1) 申请公布日期 2011.10.28
申请号 KR20090084086 申请日期 2009.09.07
申请人 发明人
分类号 H01L33/38 主分类号 H01L33/38
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com