发明名称 GaN-basierte Leistungsvorrichtung mit integrierten Schutzvorrichtungen: Strukturen und Verfahren
摘要 Exemplarische Ausführungsformen stellen Strukturen und Verfahren für Leistungsvorrichtungen mit integrierten Klemmenstrukturen bereit. Die Integration von Klemmenstrukturen kann die Leistungsvorrichtung z. B. vor elektrischer Überbeanspruchung schützen. In einer Ausführungsform können aktive Vorrichtungen über einem Substrat gebildet sein, während eine Klemmenstruktur außerhalb der aktiven Regionen der Leistungsvorrichtung, beispielsweise unter dgriert sein kann. Das Integrieren von Klemmenstrukturen außerhalb aktiver Regionen von Leistungsvorrichtungen kann den aktiven Bereich für eine gegebene Chipgröße maximieren und die Robustheit der geklemmten Vorrichtung verbessern, da der Strom sich durch diese Integration in dem Substrat ausbreitet.
申请公布号 DE102011002234(A1) 申请公布日期 2011.10.27
申请号 DE201110002234 申请日期 2011.04.21
申请人 INTERSIL AMERICAS INC. 发明人 HEBERT, FRANCOIS
分类号 H01L29/47;H01L23/60;H01L29/778 主分类号 H01L29/47
代理机构 代理人
主权项
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