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<p>메모리 셀은, 가변 저항 막과, 가변 저항 막의 한 면에 한 면이 접하는 제1 도전막과, 가변 저항 막의 다른 면에 한 면이 접하는 제2 도전막을 포함한다. 제1 도전막 또는 제2 도전막에 흐르는 전류의 방향에 직교하는 방향으로의 제1 도전막 또는 제2 도전막의 폭은 상기 가변 저항 막에 흐르는 전류의 방향에 직교하는 방향으로의 상기 가변 저항 막의 폭보다 작다. 제1 도전막 및 제2 도전막에 흐르는 전류의 방향에 직교하는 방향으로의 제1 도전막 및 제2 도전막의 폭은 상기 제1 배선 및 상기 제2 배선에 흐르는 전류의 방향에 직교하는 방향으로의 상기 제1 배선 및 상기 제2 배선의 폭보다 작다.</p> |
