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<p>기판 위에 유전막을 형성하는 단계와, 상기 유전막 위에 금속 함유막을 형성하는 단계와, 상기 금속 함유막 위에, 실리콘 및 탄소를 포함하는 실리콘 탄소 함유막과, 질소 및 탄소를 포함하는 질소 탄소 함유막 중 적어도 하나의 탄소 함유막을 형성하는 단계와, 상기 탄소 함유막을 선택적으로 에칭하는 단계와, 상기 금속 함유막을 선택적으로 에칭하여 에칭에 의해서 형성되는 상기 탄소 함유막의 개구부를 전사(transfer)하는 단계와, 상기 개구부 이외의 상기 탄소 함유막의 표면이 노출된 상태에서, 상기 탄소 함유막과 상기 금속 함유막을 마스크로서 이용하여 상기 유전막을 에칭하는 단계를 포함하는 반도체 디바이스 제조 방법.</p> |
