发明名称 Method of manufacturing light emitting diode unit and light emitting diode unit manufactured by the method
摘要 <p>본 발명은, 하부 절연기판의 상부면의 중앙부분에 열전도성이 우수한 재질의 상부 열전도막이 형성되고, 하부 절연기판의 상부면에 상기 상부 열전도막과는 접촉되지 않도록 양의 배선패턴과 음의 배선패턴이 형성되며, 하부 절연기판의 하부면에 열전도성이 우수한 재질의 하부 열전도막이 형성된 하부 기판을 준비하는 제1공정과; 상기 하부 기판의 상부 열전도막 상에 발광 다이오드 칩을 실장하는 제2공정과; 상기 발광 다이오드 칩의 N형 패드 및 P형 패드를 상기 양의 배선패턴과 음의 배선패턴에 전기적으로 연결하는 제3공정을 포함하는 발광 다이오드 유닛의 제조 방법을 제공한다.</p>
申请公布号 KR101077479(B1) 申请公布日期 2011.10.27
申请号 KR20090043851 申请日期 2009.05.20
申请人 发明人
分类号 H01L33/48;H01L33/58;H01L33/64 主分类号 H01L33/48
代理机构 代理人
主权项
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