| 发明名称 | 一种微型高温压力传感器结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种微型高温压力传感器结构，包括有半导体衬底，为矩形；绝缘层，沉积在半导体衬底上；半导体，键合在绝缘层上；所述的半导体为梳齿状；阻挡层，溅射在半导体的中间梳齿上；金属层，溅射在阻挡层上；保护层，溅射在金属层上；绝缘层，沉积在保护层上；半导体敏感元件，键合在半导体的两端梳齿上；阻挡层，溅射在金属引线口上；金属层，溅射在阻挡层上；金属层，设于金属引线口上，并与右侧的半导体敏感元件相连接；所述的金属层上溅射有保护层。本实用新型的优点在于：能够有效增大电容两极板间的相对面积，增大电容输出值，提高器件的灵敏度和线性度，实现微型化、降低生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN202018355U | 申请公布日期 | 2011.10.26 |
| 申请号 | CN201120090922.8 | 申请日期 | 2011.03.29 |
| 申请人 | 福建省安特半导体有限公司 | 发明人 | 郑志霞;黄国灿 |
| 分类号 | G01L9/12(2006.01)I;G01L1/14(2006.01)I;B81B3/00(2006.01)I | 主分类号 | G01L9/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 厦门龙格专利事务所(普通合伙) 35207 | 代理人 | 娄烨明 |
| 主权项 | 一种微型高温压力传感器结构，其特征在于：包括有半导体衬底(100)，为矩形；绝缘层(110)，沉积在半导体衬底(100)上；半导体(120)，键合在绝缘层(110)上；所述的半导体(120)为梳齿状；阻挡层(130)，溅射在半导体(120)的中间梳齿上；金属层(140)，溅射在阻挡层(130)上；保护层(150)，溅射在金属层(140)上；绝缘层(160)，沉积在保护层(150)上；半导体敏感元件(170)，键合在半导体(120)的两端梳齿上；所述的半导体敏感元件(170)上附有敏感膜(240)；金属引线口(250)，设于敏感膜(240)上；阻挡层(190)，溅射在金属引线口(250)上；金属层(200)，溅射在阻挡层(190)上；金属引线口(210)，设于保护层(150)右侧上；金属层(220)，设于金属引线口(210)上，并与右侧的半导体敏感元件(170)相连接；所述的金属层(220)上溅射有保护层(230)。 | ||
| 地址 | 351117 福建省莆田市涵江区赤港华侨经济开发区 | ||