| 发明名称 | 一种静电保护器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种静电保护器件及其制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)技术领域。本发明包括一SCR结构，为硅衬底上的N阱和P阱中分别进行P型注入和N型注入的横向PNPN结构，其中，在N阱中的P型掺杂作为器件的阳极，P阱中的N型掺杂作为器件的阴极。在该SCR结构中，在N阱中注入N型掺杂作为一电阻引出端，在P阱中注入P型掺杂作为电阻的另一引出端，上述两引出端通过电阻相连。本发明通过电阻将SCR结构的N阱引出端和P阱引出端相连，实现低触发电压的SCR结构。该SCR结构面积小，集成度高，且本发明和现有CMOS工艺完全兼容，工艺制备简单，最大程度降低了成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101847633B | 申请公布日期 | 2011.10.26 |
| 申请号 | CN201010163416.7 | 申请日期 | 2010.05.05 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 张丽杰;黄如 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H01L29/74(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L21/332(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人 | 张肖琪 |
| 主权项 | 一种ESD保护器件，包括一SCR结构，为硅衬底上的N阱和P阱中分别进行P型注入和N型注入的横向PNPN结构，其中，在N阱中的P型掺杂作为器件的阳极，P阱中的N型掺杂作为器件的阴极，其特征在于，在上述N阱中注入N型掺杂作为一电阻引出端，该N阱引出端不能紧邻P型注入，在P阱中注入P型掺杂作为电阻的另一引出端，该P阱引出端不能紧邻N型注入，上述两引出端通过电阻相连。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||