| 发明名称 | 薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 一种薄膜晶体管，包括栅极、至少一无机材料层、至少一介电层、源极、漏极与有源层。栅极，位于基板上。无机材料层，覆盖住栅极。介电层至少包括有机材料，覆盖于基板上，其具有开口，裸露出栅极上的无机材料层。源极与漏极，分别位于介电层以及开口所裸露出的部分无机材料层上，源极与漏极之间具有沟道区。有源层，位于沟道区上。 | ||
| 申请公布号 | CN101752424B | 申请公布日期 | 2011.10.26 |
| 申请号 | CN200810185612.7 | 申请日期 | 2008.12.17 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 颜精一;陈良湘 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括：栅极，位于基板上；至少一无机材料层，覆盖住该栅极；至少一介电层，包括有机材料，覆盖于该基板上，其具有开口，裸露出该栅极上的该无机材料层；源极与漏极，分别位于该介电层以及该开口所裸露出的部分该无机材料层上，该源极与该漏极之间具有沟道区；以及有源层，位于该沟道区上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||