| 摘要 |
<p>본 발명에 의하면, 소자 분리 영역(13)에 의해 규정되는 드레인 영역(121)에 보디 영역(15)이 형성되고, 보디 영역(15)에 N형의 제1 소스 영역(16)이 형성된다. 드레인 영역(121)과 제1 소스 영역(16) 사이에 제1 게이트 전극(20)이 배치된다. 소자 분리 영역(13)은 개구부(133)가 형성된 루프형부(131)와, 개구부(133)를 통하여 드레인 영역(121)에 접속된 연재 영역(122)를 규정하는 부분(132)을 구비한다. 연재 영역(122)에, 제2 소스 영역(23)이 형성된다. 드레인 영역(121)에 P형의 제2 보디 영역(15)이 형성되고, 제2 보디 영역(15)에 N형의 제3 소스 영역(16)이 형성되며, 드레인 영역(121)과 제3 소스 영역(16) 사이에 제2 게이트 전극(331)이 형성된다.</p> |
